晶圓其實不是絕對“圓”的！即使拋開加工精度，晶圓也不是圓的！

“111”P-type晶圓

就像上圖“111”P-type晶圓一樣，我們通常看到的晶圓，是有一個切口的。這個切口或是平切掉一塊，或是一個小小的缺口。為什么呢？

有個小缺口的晶圓

在硅晶圓片的制造和加工中，通常會在圓形表面上切割或研磨一個小的平面區域，這個區域被稱為flat zones（“切平區”或“研磨平面”）。切平區通常位于晶圓周邊的某個特定位置，這個位置的準確定義取決于晶圓的規格和設計。

晶圓切口的作用？

首先，切平區的作用是提供一個可供參考的定向標記，以便在芯片制造過程中，確定晶圓的方向和位置。

晶圓切口所代表的晶向及摻雜（SEMI標準）

其次，還可用于識別Wafer基本信息的晶體方向和類型，晶圓上的切口數量及位置，代表了晶圓的“晶向”及“摻雜類型”。如，根據使用最廣泛的SEMI標準，它通過初級和次級平面形成的角度來區分晶圓：

二次切平區與主要切平區成180° ：n 型 <100>

二次切平區與主要切平區成90°：P 型 <100>

二次切平區與主要切平區成45° ：n 型 <111>

無二次平面：p 型 <111>

小晶圓切平角，大晶圓切小口

當晶圓尺寸越來越大的時候，如果還是切下一個平角，就會造成較大浪費。

flat與notch

因此，在200mm以下的硅錠上是切割一個平角，叫做Flat，在200mm（含）以上硅錠上，為了減少浪費，只裁剪個U型或V型小口，叫做Notch。

“111”P-type晶圓缺口

國標規定Notch 槽(V 形槽)深度為 1mm 角度為 90°是種具有一定角度和深度的凹型結構,因此無法直接測量 Notch 槽晶向。可以通過利用X射線測試與其垂直位置的晶向偏離度來表征 Notch 槽的晶向偏離度。

Notch槽結構放大圖

為什么要區分晶向呢？

首先，硅晶圓晶格結構是立方體，具有四個等效的 <100> 方向和兩個等效的 <110> 方向（就是說，雖然是同一種物質，特性卻完全不一樣，可以理解為同樣用磚頭蓋房子，磚塊不同的交錯排列方式，會導致墻體特性完全不一樣）。

磚墻壘法1

磚墻壘法2

硅晶圓的電子遷移率與其晶向有關，晶向不同，電子遷移率也不同。（晶向這一點太過專業，大家了解就好，不要深究，感興趣可以看看材料學書籍）

硅晶圓晶格結構

<110> 晶向的原子排列相對緊密，電子在該方向上移動時，會遇到比較少的阻礙，因此電子遷移率高。

<100> 晶向的原子排列比較寬松，電子在該方向上移動時，會受到許多阻礙，所以電子遷移率較低。

除此之外，有些特殊應用需要采用其他方向的硅晶圓，如加速器用硅晶圓采用<111>晶向，以獲得更好的性能。

直觀來看，不同晶向硅片在碎裂時，碎裂形態差異非常之大。

不同晶向的硅片碎片情況

目前以CMOS為基礎的半導體工藝一般使用的是<100>晶向的硅晶圓。因為在生產過程中切割成<100>晶向硅晶片的成本較低，且該晶向的硅晶片已經有較為成熟的制造工藝和生產設施。同時，<100>晶向硅晶片也具有優異的電學特性和較低的漏磁等特點，能夠較好的適應目前集成電路的設計需求。