1.研究背景 隨著亞10 nm集成電路芯片逐步進入消費電子、互聯(lián)硬件、電子醫(yī)療設備等領域,對典型缺陷進行高速識別、定位與分類,將極具挑戰(zhàn)性。而納米光子學、計算成像、定量相位成像、光學渦旋、多電子束掃描、熱場成像以及深度學習等新興技術,在提升缺陷靈敏度、分辨率以及對比度等方面已嶄露頭角,這將為晶圓缺陷檢測提供新的可能。 2.晶圓缺陷檢測標準是什么? 評價準則 為了更便捷地研究晶圓缺陷的可檢測性,研究者們建立了缺陷檢測靈敏度這一概念,以定量...
2024-07-16 09:35:59